بررسی عددی ضریب انتقال حرارت جابجایی طبیعی در نانوسیال اتیلن گلیکول / اکسید آهن تحت میدان الکتریکی با استفاده از نرم افزار کامسول

در تحقیق حاضر انتقال گرمای جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/Fe3O4  حول سیم نازک پلاتینی افقی در حضور میدان الکتریکی به روش دینامیک سیالات محاسباتی و با نرم افزار کامسول 4.3a به روش المان محدود مورد بررسی قرار گرفته است. تغییرات ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاددر غلظت­ های مختلف حجمی و در شدت­های مختلف میدان الکتریکی و همچنین اثر تعداد و تغییر شکل الکترود بر انتقال گرما مورد مطالعه قرار گرفت و با نتایج تجربی مقایسه شد. با استفاده از نرم افزار تهیه شده، می­توان اثر جزء حجمی­ ها، هندسه ­ها، میدان ها، دماها و سایر پارامترهای مختلف را با تغییر اندکی در نرم افزار بررسی کرد. در نرم افزار از روابطی برای محاسبه خواص نانوسیال استفاده شده که اثر حرکت براونی و نیروهای بین مولکولی را لحاظ کنند. به عنوان مثال برای محاسبه هدایت حرارتی نانوسیال از روابط مرشد و همکاران استفاده شده که با استفاده از تئوری DLVO رابط ه­ای برای ضریب هدایت حرارتی پیشنهاد داده­ اند. با توجه به جزء حجمی­ های پایین نانوذرات، شبیه سازی به صورت تک فازی انجام شده است. شبیه سازی به گونه­ ای انجام شده که کاربر بتواند تغییرات دما، ولتاژ الکتریکی، سرعت، ویسکوزیته، ضریب انتقال حرارت جابجایی آزاد، انرژی الکتریکی، نیروهای الکتریکی و سایر پارامترهای مربوط یه مکانیک سیالات، انتقال حرارت و میدان­ های الکتریکی را محاسبه کند. در حل مسئله فرض شده است که سیال تراکم ناپذیر و لزج است و جریان آرام و پایاست.  شبیه سازی به صورت سه بعدی و با دیدگاه اویلری انجام شده است. نتایج بررسی عددی نشان می­ دهد که با افزایش جزء حجمی نانو ذرات و افزایش ولتاژ الکتریکی،  ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد افزایش می یابد و میزان وابستگی ضریب انتقال گرما به جزء حجمی نانوذرات و ولتاژ الکتریکی در اعداد ریلی پایین بیشتر از اعداد ریلی بالاست.

نظر بدهید

توجه: HTML ترجمه نمی شود!
    بد           خوب

Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Aliquam iaculis egestas laoreet. Etiam faucibus massa sed risus lacinia in vulputate dolor imperdiet. Curabitur pharetra, purus a commodo dignissim, sapien nulla tempus nisi, et varius nulla urna at arcu.Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Aliquam iaculis egestas laoreet. Etiam faucibus massa sed risus lacinia in vulputate dolor imperdiet. Curabitur pharetra, purus a commodo dignissim, sapien nulla tempus nisi, et varius nulla urna at arcuLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Aliquam iaculis egestas laoreet. Etiam faucibus massa sed risus lacinia in vulputate dolor imperdiet. Curabitur pharetra, purus a commodo dignissim, sapien nulla tempus nisi, et varius nulla urna at arcu. 

بررسی عددی ضریب انتقال حرارت جابجایی طبیعی در نانوسیال اتیلن گلیکول / اکسید آهن تحت میدان الکتریکی با استفاده از نرم افزار کامسول

  • تولید کننده: مارکت کد
  • شناسنامه: بررسی عددی ضریب انتقال حرارت جابجایی طبیعی در نانوسیال اتیلن گلی
  • موجودی: در انبار
  • زبان برنامه نویسی: Comsol
  • تاریخ: ۱۳۹۵-۰۲-۱4
  • برنامه نویس: پیمان ناصری
  • 110,000تومان

برچسب ها: نانوسیال اتیلن گلیکول, Fe3O4, سیم پلاتینی, میدان الکتریکی, روش دینامیک سیالات محاسباتی, نرم افزار کامسول, COMSOL, روش المان محدود, ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد, الکترود, حرکت براونی, نیروهای بین مولکولی, هدایت حرارتی, تئوری DLVO, نانوذرات, شبیه سازی, ولتاژ الکتریکی, ویسکوزیته, سرعت, انرژی الکتریکی, نیروهای الکتریکی, سیال تراکم ناپذیر و لزج, جریان آرام و پایا, دیدگاه اویلری, اعداد ریلی